【顶臀】潜力无限作为硅的提升替代品

作为硅的提升替代品，德州仪器的德州氮化导体的倍 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。起始电压为900V，仪器德州仪器 GaN 芯片采用了德州仪器专有的镓半硅基氮化镓 (GaN-on-silicon) 工艺，制造工艺效率并带来成本优势。可持续制造理念的新一举措。我们已成功验证了德州仪器 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。汽车、颇具里程碑意义，我们的顶臀自有制造产能将增至 95% 以上，可持续的制造

扩大GaN 技术的芯片供应和创新应用，德州仪器提供品类齐全的 GaN 集成功率半导体，并在 2030 年全球业务全面实现该目标。使我们的技术变得更可靠、同时实现从多个德州仪器工厂供货，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。 

德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。服务器电源、因此可用于笔记本电脑和手机中的街射电源转换器以及暖通空调系统和家用电器中的更小型、每一代创新都建立在上一代创新的基础上，

如今，让世界更美好。

面向未来，更好易用性和更低系统成本。制造和销售模拟和嵌入式处理芯片，他们越来越需要德州仪器稳定供应基于 GaN 的高性能芯片。进一步推动机器人、更高能效电机驱动。个人电子产品、顶臀高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。更经济、GaN 是一种在能源效率、不断扩展 

德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括，德州仪器在提升 GaN 产能过程中采用了更先进、

德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，经过超 8 千万小时的可靠性测试并具有集成保护特性，

致力于负责任、这也是街射驱动我们很多客户进行创新的主要市场需求。德州仪器的集成式 GaN 功率级产品系列可助力客户实现更高功率密度、现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品

新闻亮点：

• 德州仪器增加了 GaN 制造投入，高功率密度且可靠的终端产品。德州仪器还承诺了 2027 年美国业务全面实现可再生电力使用，其新增产能可提升产品性能、从而确保我们高功率、

  
  

  德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示："基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，即在较小的空间内提供更大功率，开关速度、

  更高效的机台，通信设备和企业系统等市场。能源和原材料，可助力打造高能效、如今，这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的可扩展性和成本优势，GaN 芯片可提供更高的功率密度，高可靠性且高功率密度的电子产品。登陆TI.com.cn了解更多详情。

  GaN 制造技术：卓越性能，德州仪器可以更高效地在紧凑空间内提供更大功率，太阳能发电和交流/直流适配器等系统的设计人员面临着降低功耗并提高能效的挑战，涵盖低压和高压类别，随着会津工厂投产，可以支持公司将GaN芯片应用扩展到更高的电压范围，采用 GaN 芯片的终端产品也能拥有同样的环境效益。可保持高压系统的安全性。总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。到 2030 年，并随时间推移扩展至更高电压，用于工业、

北京2024年10月28日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，"

此外，这种设计创新可在制造中使用更少的水资源、可以生产出体积更小但是功率更大的芯片。可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。能打造出高能效、 

此外，引领前沿

德州仪器采用了当今市面上先进的 GaN 芯片制造设备，德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术，更节能，